四能級和準四能級激活離子的最佳摻雜濃度

推導了在連續(xù)抽運和脈沖抽運條件下,利用熒光衰減曲線,在雙摻與單摻晶體中,激發(fā)態(tài)布居數與激活離子摻雜濃度的關系,分析了四能級系統與準四能級系統中激活離子最佳摻雜濃度的計算方法.并利用上述方法,以準四能級系統Tm,Tb:LiYF4和四能級系統Nd:YAG為例,計算了相應離子的最佳摻雜濃度,并與文獻的有關報道進行了比較.

作 者： 胡曉 洪方煜 鄔良能   作者單位： 胡曉(上海交通大學物理系光學與光子學研究所,上海,200030;中國計量學院文理分院物理教研室,杭州,310034)

洪方煜,鄔良能(中國計量學院文理分院物理教研室,杭州,310034) 

刊 名： 物理學報  ISTIC SCI PKU 英文刊名： ACTA PHYSICA SINICA  年，卷(期)： 2002 51(9)  分類號： O4  關鍵詞： 激發(fā)態(tài)布居數   最佳摻雜濃度   四能級系統與準四能級系統   Tm   Tb:LiYF4  

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